效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化矽(SiC)的晶體管的主要優勢。c科技股份公司開始批量生産EASY 1B——英飛淩在2016年PCIM上推出的首款全碳化矽模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛淩展出了1200 V CoolSiC? MOSFET産品系列的其他模塊平台和拓撲。如今，英飛淩能夠更好地發揮碳化矽技術的潛力。

英飛淩工業功率控制事業部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化矽已達到轉折點，考慮到成本效益，它已可用于不同應用。不過，爲了讓這一新的半導體技術成爲可以依靠的革命性技術，需要英飛淩這樣的合作夥伴。針對應用量身定制産品、我們的生産能力、對技術組合和系統的全面了解：這四大優勢使我們成爲功率半導體市場的領導者。依托英飛淩碳化矽産品組合，我們希望並且能夠達成這一目標。”

全新1200 V碳化矽MOSFET已進行優化，同時具備高可靠性與性能優勢。其動態功率損耗要比1200V矽(Si)IGBT低一個數量級。首批産品將主推光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和充電/儲電系統等應用。不久的將來推出的新型號，也將爲打造適用于工業變頻器、醫療設備或鐵路設備輔助電源的革命性解決方案創造條件。

1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術的一大優勢在于持久的堅固耐用性。這是由于其具備較低的工作時間失效(FIT)率和有效的短路能力，可適應不同的應用。得益于4 V的阈值電壓(Vth)和+15 V的推薦接通阈值(VGS))，這些晶體管能像IGBT一樣得到控制，在發生故障時得以安全關閉。碳化矽MOSFET可以實現高速開關，另外，英飛淩碳化矽MOSFET技術可以通過柵極電阻調節來改變開關速度，因此，可以輕松優化EMC性能。

早在去年，英飛淩就已推出主導産品EASY 1B(半橋/Booster)以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin産品。EASY 1B平台十分成熟，是實現快速開關器件的理想模塊平台。在今年的PCIM展會上，英飛淩將展出基于1200 V SiC MOSFET技術的其他模塊平台和拓撲。它們將逐步擴大CoolSiC MOSFET的性能範圍。英飛淩展出的碳化矽模塊包括：

　　采用B6(Six-Pack)拓撲的EASY 1B：該模塊的特點是成熟的英飛淩模塊配置，導通電阻(RDS(ON))僅45 mΩ。集成的體二極管確保低損耗續流功能。該EASY 1B適用于傳動、太陽能或焊接技術領域的應用。

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