Microsemi的碳化矽MOSFET具有低電容和低柵電荷，開關速度快，低ESR，快速和可靠的體二極管，和優異的雪崩堅固性。-鈦電

購物車中還沒有商品，趕快選購吧！

Microsemi的碳化矽MOSFET具有低電容和低柵電荷，開關速度快，低ESR，快速和可靠的體二極管，和優異的雪崩堅固性。

發布日期：2019-05-04 瀏覽次數：813 電子元器件型號大全

C3M0075120D：1200V的SiC功率MOSFET與C3M™MOSFET技術

Wolfspeed的C3M0075120D與N溝道增強模式是1200伏，30 A，75 M＆＃8486碳化矽MOSFET特色的具有低導通電阻，具有低電容的高速開關，並具有低的反向恢復快徵二極管高阻斷電壓。

Microsemi的碳化矽MOSFET具有低電容和低柵電荷，開關速度快，低ESR，運行穩定在高的結溫，快速和可靠的體二極管，和優異的雪崩堅固性。

Vincotech公司的新溢流 PIM＆溢流 PACK E1 / E2模塊具有出色的熱性能和最新的根IGBT M7芯片技術。可以在新的PIM（CIB）和sixpack配置簡單，最多的功率範圍延伸至50 A（PIM）100和A（sixpack）。

氮化鎵Systems的GS-065-0xx-1-L器件非常適合於充電，電源，照明和電器的應用程序。它們的特點是行業標準的5x6mm封裝PDFN，SMT組裝和可擴展性（3.5至11A在相同的空間）。

Power Integrations的SIC1182K SCALE-iDriver™是一種高效率的，單信道的SiC MOSFET柵極驅動器，可提供可用的最高的峰值輸出的柵極電流而無需外部升壓級。主要應用包括UPS，逆變焊機和電源。

評估和優化穩態和Wolfspeed的C3M™碳化矽MOSFET和肖特基二極管的高速開關性能。套件包含散熱器，熱界面，電感器，硬件，和兩個1200V / 75 M＆＃8486 C3M的MOSFET。

Power Integrations的柵極驅動器參考設計加速產品的上市進程。
測試的柵極驅動器的實現

GaN和碳化矽評估套件，參考設計和仿真工具
加快你的時間到市場！

甘碳化矽技術用於電力電子應用簡介
立即下載手冊！

EZDrive℠解決方案的GaN系統“E-HEMT
下載
GN010應用筆記現在了解更多信息。