G030N06M
- 型號描述:
- N-Channel 60 V 223A (Tc) 240W (Tc) Surface Mount TO-263
MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
- 型號:
- G030N06M
- 品牌:
- Goford Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 223A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3mOhm @ 30A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 240W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Supplier Device Package
- TO-263
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 101 nC @ 4.5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 12432 pF @ 30 V
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
- WIG-16300
- M6-21-427
- 10169891-453001SLF
- AFB0924SH-AF00
- MS27473T12F98PA
- ASL5115SHNZ
- 4922R-08L
- RJFC2ZN
- HCPL-4502-500E
- EEU-FS1A821B
- CRCW1210105RFKEA
- LQM21PN2R2MGSD
- 1SMB3EZ24_R1_00001
- DN01508D
- RC0805FR-0726K7L
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- FDA117GRTR
- MP1653AGTF-Z
- DUA55CM44
- SD24C-7
- RC0402FR-0736K5P
- 431256083726
- EC350V-04P
- NUCLEO-C071RB
- 資訊中心
- onsemi 推出基於第七代 IGBT 的智慧功率模組，以降低加熱和冷卻能耗
- 2024-03-16
- Samtec 開設新台灣設計中心
- 2023-11-13
- TI 利用 SiC 柵極驅動器幫助最大限度地提高電動汽車的行駛里程
- 2023-08-12
- TDK 為 ADAS/AD 電源管理提供極其緊湊和可靠的 CLT 功率電感器
- 2022-08-13
- 意法半導體觸控控制器支持新一代AMOLED節能顯示器
- 2022-07-03
- ADI 公司的無線電池管理系統獲得頂級汽車網絡安全認證
- 2022-04-09
- 通過 Samtec 和 SnapEDA 提供 20 萬多個互連符號和封裝
- 2021-11-13
- TE Connectivity 的新型可插拔連接器滿足了照明應用的市場需求
- 2021-07-04
- 意法半導體的低電容汽車瞬態電壓抑制器為高速接口提供保護
- 2021-05-30
- ROHM新型600V IGBT IPM提供領先的低噪聲，低損耗
- 2021-05-08
- Littelfuse收購Hartland Controls
- 2021-04-05
- Molex推出了汽車主動降噪中的重大傳感器創新，以改善安全性和駕駛體驗
- 2021-02-24
