AIMBG75R090M1HXTMA1
- 型號描述:
- N-Channel 750 V 24A (Tj) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
AIMBG75R090M1HXTMA1
- 型號:
- AIMBG75R090M1HXTMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$179.8388 |
| 10+ | NT$137.8562 |
| 25+ | NT$127.344 |
| 100+ | NT$115.8041 |
| 250+ | NT$110.3043 |
| 500+ | NT$106.9886 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$179.8388數量:
合計:NT$180
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 24A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 83mOhm @ 7.4A, 20V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 128W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.6V @ 2.6mA
- Supplier Device Package
- PG-TO263-7
- Grade
- Automotive
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 20V
- Vgs (Max)
- +23V, -5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 750 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 15 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 542 pF @ 500 V
- Qualification
- AEC-Q101
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- ADN4624BRNZ
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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