IMT40R036M2HXTMA1
- 型號描述:
- N-Channel 400 V 7.6A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
SIC-MOS
- 型號:
- IMT40R036M2HXTMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$207.948 |
| 10+ | NT$160.1925 |
| 25+ | NT$148.2476 |
| 100+ | NT$135.1209 |
| 250+ | NT$128.8637 |
| 500+ | NT$125.0934 |
| 1000+ | NT$121.9899 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$207.948數量:
合計:NT$208
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 8-PowerSFN
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 7.6A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 3.8W (Ta), 167W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.6V @ 4mA
- Supplier Device Package
- PG-HSOF-8-2
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Vgs (Max)
- +23V, -7V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 400 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 26 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1170 pF @ 200 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E
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