A2T27S020GNR1
- 型號描述:
- RF Mosfet 28 V 185 mA 400MHz ~ 2.7GHz 21dB 20W TO-270-2 GULL
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
- 型號:
- A2T27S020GNR1
- 品牌:
- NXP USA Inc.
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-270BA
- Current Rating (Amps)
- 10µA
- Mounting Type
- Surface Mount
- Frequency
- 400MHz ~ 2.7GHz
- Power - Output
- 20W
- Gain
- 21dB
- Technology
- LDMOS
- Noise Figure
- -
- Supplier Device Package
- TO-270-2 GULL
- Voltage - Rated
- 65 V
- Voltage - Test
- 28 V
- Current - Test
- 185 mA
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
- WIG-16300
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- MS27473T12F98PA
- ASL5115SHNZ
- 4922R-08L
- RJFC2ZN
- HCPL-4502-500E
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