FDB28N30TM
- 型號描述:
- UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce
- 型號:
- FDB28N30TM
- 品牌:
- ON Semiconductor
- 交期:
- 10-18工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$63.44 |
| 25+ | NT$58.76 |
| 100+ | NT$56.16 |
| 500+ | NT$54.08 |
| 1000+ | NT$51.48 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$63.44數量:
合計:NT$63
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 28A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 129mOhm @ 14A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 250W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Supplier Device Package
- TO-263 (D2PAK)
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 300 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 50 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2250 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
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