FOD817DSD
- 型號描述:
- The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-p
- 型號:
- FOD817DSD
- 品牌:
- ON Semiconductor
- 交期:
- 10-18工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$6.76 |
| 25+ | NT$6.24 |
| 100+ | NT$6.24 |
| 500+ | NT$5.72 |
| 1000+ | NT$5.72 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$6.76數量:
合計:NT$7
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 4-SMD, Gull Wing
- Output Type
- Transistor
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 110°C
- Voltage - Forward (Vf) (Typ)
- 1.2V
- Input Type
- DC
- Current - Output / Channel
- 50mA
- Voltage - Isolation
- 5000Vrms
- Current Transfer Ratio (Min)
- 300% @ 5mA
- Vce Saturation (Max)
- 200mV
- Current Transfer Ratio (Max)
- 600% @ 5mA
- Supplier Device Package
- 4-PDIP-GW
- Voltage - Output (Max)
- 70V
- Turn On / Turn Off Time (Typ)
- -
- Rise / Fall Time (Typ)
- 4µs, 3µs
- Number of Channels
- 1
- Current - DC Forward (If) (Max)
- 50 mA
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- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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