NDS0605
- 型號描述:
- MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
- 型號:
- NDS0605
- 品牌:
- ON Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 99000+ | NT$1.3309 |
| 45000+ | NT$1.5356 |
| 24000+ | NT$1.638 |
| 9000+ | NT$1.7404 |
| 3000+ | NT$2.0475 |
| 1000+ | NT$2.6276 |
| 100+ | NT$3.822 |
| 10+ | NT$9.1455 |
| 1+ | NT$13.3088 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$1.3309數量:
合計:NT$1
- Breakdown Voltage (Drain to Source)
- -60.0 V
- Breakdown Voltage [Gate to Source]
- -20.0 V to 20.0 V
- Case/Package
- SOT-23
- Current Rating
- -180 mA
- Continuous Drain Current (Ids)
- 180 mA
- Lead-Free Status
- Lead Free
- Lifecycle Status
- Active
- Mounting Style
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55.0 °C to 150 °C
- Packaging
- Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR)
- Number of Pins
- 3
- Polarity
- P-Channel
- Power Dissipation
- 360 mW
- Drain to Source Resistance (on) (Rds)
- 5.00 Ω
- REACH SVHC Compliance
- No SVHC
- 環保標示
- Compliant
- Drain to Source Voltage (Vds)
- -60.0 V
- Voltage Rating (DC)
- -60.0 V
- 精選品牌
- 熱銷產品
- MAX25222CATJ/V+
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