NTMD6P02R2G
- 型號描述:
- MOSFET, P, 20V, SOIC-8; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:-20V; Current, Id cont:7.8A; Resistance, Rds on:0.033ohm; Voltage, Vgs Rds on me
- 型號:
- NTMD6P02R2G
- 品牌:
- ON Semiconductor
- 交期:
- 10-18工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$21.84 |
| 25+ | NT$20.28 |
| 100+ | NT$19.76 |
| 500+ | NT$18.72 |
| 1000+ | NT$17.68 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$21.84數量:
合計:NT$22
- Breakdown Voltage [Gate to Source]
- -12.0 V to 12.0 V
- Voltage Rating (DC)
- -20.0 V
- Drain to Source Voltage (Vds)
- 20.0 V
- 環保標示
- Compliant
- Rise Time
- 20.0 ns
- Drain to Source Resistance (on) (Rds)
- 27.0 mΩ
- Power Dissipation
- 2.00 W
- Polarity
- P-Channel
- Number of Pins
- 8
- Packaging
- Reel
- Mounting Style
- Surface Mount
- Lifecycle Status
- Active
- Lead-Free Status
- Lead Free
- Continuous Drain Current (Ids)
- 7.80 A
- Current Rating
- -6.00 A
- Case/Package
- SOIC
- 精選品牌
- 熱銷產品
- MAX25222CATJ/V+
- MAX25220ATJ/V+
- TLV9041IDBVR
- WP26DK-P040VA3-R15000
- PPM-2-5525-SG-WT
- R2016-40.000-10-F-1010-EXT-TR-NS1
- PIC16F17146-I/P
- IL-G-12P-S3L2-SA
- LT1211CS8#PBF
- TZX5V1A-TR
- 3365/50 300
- SR731JTTDR365F
- WR06W2R20FTL
- MAX3221EEUE+
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