SCT2280KEGC11
- 型號描述:
- N-Channel 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247N
碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
- 型號:
- SCT2280KEGC11
- 品牌:
- ROHM Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 450
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-247-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- 175°C
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 14A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 364mOhm @ 4A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 108W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 1.4mA
- Supplier Device Package
- TO-247N
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Vgs (Max)
- +22V, -6V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 36 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 667 pF @ 800 V
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