TPS1120DR
- 型號描述:
- Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET 8-SOIC
Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET 8-SOIC
- 型號:
- TPS1120DR
- 品牌:
- Texas Instruments
- 交期:
- 6-9工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$54.197 |
| 100+ | NT$44.759 |
| 250+ | NT$32.175 |
| 1000+ | NT$24.2028 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$54.197數量:
合計:NT$54
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Configuration
- 2 P-Channel (Dual)
- Operating Temperature
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Power - Max
- 840mW
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 15V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 1.17A
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 180mOhm @ 1.5A, 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 5.45nC @ 10V
- FET Feature
- Logic Level Gate
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Supplier Device Package
- 8-SOIC
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
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