TRS8V65H,LQ
- 型號描述:
- 碳化矽肖特基二極管 G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
- 型號:
- TRS8V65H,LQ
- 品牌:
- Toshiba
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 2500
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$107.4938 |
| 10+ | NT$72.0038 |
| 100+ | NT$51.5288 |
| 500+ | NT$42.315 |
| 1000+ | NT$40.6088 |
| 2500+ | NT$39.585 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$107.4938數量:
合計:NT$107
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 4-VSFN Exposed Pad
- Mounting Type
- Surface Mount
- Speed
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Reverse Recovery Time (trr)
- 0 ns
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Capacitance @ Vr, F
- 520pF @ 1V, 1MHz
- Current - Average Rectified (Io)
- 8A
- Supplier Device Package
- 4-DFN-EP (8x8)
- Operating Temperature - Junction
- 175°C
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 650 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.35 V @ 8 A
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 90 µA @ 650 V
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