SI1013R-T1-GE3
- 型號描述:
- MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
- 型號:
- SI1013R-T1-GE3
- 品牌:
- Vishay Semiconductors
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$10.92 |
| 10+ | NT$9.0773 |
| 100+ | NT$7.5075 |
| 500+ | NT$6.2108 |
| 1000+ | NT$5.3235 |
| 3000+ | NT$5.1529 |
| 6000+ | NT$4.8458 |
| 9000+ | NT$4.5045 |
| 24000+ | NT$4.2656 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$10.92數量:
合計:NT$11
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- SC-75, SOT-416
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- P-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 350mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 150mW (Ta)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 450mV @ 250µA (Min)
- Supplier Device Package
- SC-75A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Vgs (Max)
- ±6V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 1.5 nC @ 4.5 V
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