SI2392BDS-T1-GE3
- 型號描述:
- N-Channel 100 V 2A (Ta), 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET SOT-23, 149 mohm a. 10V, 180 mohm a. 4.5V
- 型號:
- SI2392BDS-T1-GE3
- 品牌:
- Vishay / Siliconix
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$20.8163 |
| 10+ | NT$17.9156 |
| 100+ | NT$13.377 |
| 500+ | NT$10.5105 |
| 1000+ | NT$8.3948 |
| 3000+ | NT$7.098 |
| 9000+ | NT$6.4155 |
| 24000+ | NT$6.0743 |
| 45000+ | NT$5.9378 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$20.8163數量:
合計:NT$21
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 2A (Ta), 2.3A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 52mOhm @ 10A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Supplier Device Package
- SOT-23-3 (TO-236)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.1 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 290 pF @ 50 V
- 精選品牌
- 熱銷產品
- MAX25222CATJ/V+
- MAX25220ATJ/V+
- TLV9041IDBVR
- WP26DK-P040VA3-R15000
- PPM-2-5525-SG-WT
- R2016-40.000-10-F-1010-EXT-TR-NS1
- PIC16F17146-I/P
- IL-G-12P-S3L2-SA
- LT1211CS8#PBF
- TZX5V1A-TR
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