SIDR608EP-T1-RE3
- 型號描述:
- MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
- 型號:
- SIDR608EP-T1-RE3
- 品牌:
- Vishay Semiconductors
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$115.453 |
| 10+ | NT$75.4618 |
| 100+ | NT$52.858 |
| 500+ | NT$43.121 |
| 1000+ | NT$39.6435 |
| 3000+ | NT$36.8615 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$115.453數量:
合計:NT$115
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- PowerPAK® SO-8
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 56A (Ta), 228A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.2mOhm @ 20A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 7.5W (Ta), 125W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 250µA
- Supplier Device Package
- PowerPAK® SO-8DC
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Vgs (Max)
- +20V, -16V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 45 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 167 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 8900 pF @ 20 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E
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