FDN5618P-B8
- 型號描述:
- Transistor MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R
MOSFET FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
- 型號:
- FDN5618P-B8
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$21.4988 |
| 10+ | NT$18.5299 |
| 100+ | NT$13.8548 |
| 500+ | NT$10.8859 |
| 1000+ | NT$8.4289 |
| 3000+ | NT$7.644 |
| 6000+ | NT$7.1321 |
| 9000+ | NT$6.9615 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$21.4988數量:
合計:NT$21
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- P-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 1.25A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 170mOhm @ 1.25A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 460mW (Ta)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Supplier Device Package
- SuperSOT™-3
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 13.8 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 430 pF @ 30 V
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