NTBG022N120M3S
- 型號描述:
- 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
- 型號:
- NTBG022N120M3S
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 800
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$624.1463 |
| 10+ | NT$549.7538 |
| 25+ | NT$541.5638 |
| 50+ | NT$525.1838 |
| 100+ | NT$475.3613 |
| 250+ | NT$467.5125 |
| 500+ | NT$430.9988 |
| 800+ | NT$410.865 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$624.1463數量:
合計:NT$624
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 58A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 30mOhm @ 40A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 234W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.4V @ 20mA
- Supplier Device Package
- D2PAK-7
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Vgs (Max)
- +22V, -10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 20 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3200 pF @ 800 V
- 精選品牌
- 熱銷產品
- MAX25222CATJ/V+
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- TLV9041IDBVR
- WP26DK-P040VA3-R15000
- PPM-2-5525-SG-WT
- R2016-40.000-10-F-1010-EXT-TR-NS1
- PIC16F17146-I/P
- IL-G-12P-S3L2-SA
- LT1211CS8#PBF
- TZX5V1A-TR
- 3365/50 300
- SR731JTTDR365F
- WR06W2R20FTL
- MAX3221EEUE+
- TPS2557DRBT
- MP173AGS-Z
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