NTMT045N065SC1
- 型號描述:
- 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88
- 型號:
- NTMT045N065SC1
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$405.7463 |
| 10+ | NT$347.7338 |
| 25+ | NT$329.9888 |
| 100+ | NT$290.0625 |
| 250+ | NT$280.5075 |
| 500+ | NT$261.0563 |
| 1000+ | NT$234.78 |
| 3000+ | NT$220.1063 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$405.7463數量:
合計:NT$406
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 4-PowerTSFN
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 55A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 50mOhm @ 25A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 187W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.3V @ 8mA
- Supplier Device Package
- 4-TDFN (8x8)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Vgs (Max)
- +22V, -8V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 105 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1870 pF @ 325 V
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- TZX5V1A-TR
- 3365/50 300
- SR731JTTDR365F
- WR06W2R20FTL
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