NTMTSC1D6N10MCTXG
- 型號描述:
- N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
- 型號:
- NTMTSC1D6N10MCTXG
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$215.5725 |
| 10+ | NT$151.9375 |
| 100+ | NT$114.35 |
| 500+ | NT$107.862 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$215.5725數量:
合計:NT$216
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 8-PowerTDFN
- Mounting Type
- Surface Mount, Wettable Flank
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 35A (Ta), 267A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.7mOhm @ 90A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 5.1W (Ta), 291W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 650µA
- Supplier Device Package
- 8-TDFNW (8.3x8.4)
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 106 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 7630 pF @ 50 V
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