SI2301CDS-T1-GE3
- 型號描述:
- P 通道 20V 3.1 A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)
MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Current Id Max:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On State Resistance:90mohm; Rds(on
- 型號:
- SI2301CDS-T1-GE3
- 品牌:
- Vishay
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$15.6488 |
| 10+ | NT$11.9278 |
| 50+ | NT$11.9278 |
| 100+ | NT$8.8329 |
| 1000+ | NT$5.5292 |
| 10000+ | NT$5.5292 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$15.6488數量:
合計:NT$16
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- P-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 3.1A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Supplier Device Package
- SOT-23-3 (TO-236)
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 10 nC @ 4.5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 405 pF @ 10 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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