GS66506T-MR
- 型號描述:
- 氮化鎵場效應管 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
- 型號:
- GS66506T-MR
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 250
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$709.8 |
| 10+ | NT$625.5113 |
| 25+ | NT$608.79 |
| 50+ | NT$574.665 |
| 100+ | NT$573.9825 |
| 250+ | NT$487.6463 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$709.8數量:
合計:NT$710
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 4-SMD, No Lead
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 22.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 90mOhm @ 6.7A, 6V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- -
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1.3V @ 5mA
- Supplier Device Package
- -
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V
- Vgs (Max)
- +7V, -10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 4.4 nC @ 6 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 195 pF @ 400 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
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