IPB110N20N3LFATMA1
- 型號描述:
- N-Channel 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
- 型號:
- IPB110N20N3LFATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$218.2245 |
| 10+ | NT$147.8607 |
| 100+ | NT$108.003 |
| 500+ | NT$94.2186 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$218.2245數量:
合計:NT$218
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 88A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 11mOhm @ 88A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 250W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.2V @ 260µA
- Supplier Device Package
- PG-TO263-3
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 76 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 650 pF @ 100 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
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