RQ3E180BNTB1
- 型號描述:
- MOSFET HSMT8 N CHAN 30V
- 型號:
- RQ3E180BNTB1
- 品牌:
- ROHM Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$67.5675 |
| 10+ | NT$43.68 |
| 100+ | NT$31.2244 |
| 500+ | NT$26.3445 |
| 1000+ | NT$24.843 |
| 3000+ | NT$23.751 |
| 6000+ | NT$22.0789 |
| 9000+ | NT$21.2258 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$67.5675數量:
合計:NT$68
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 8-PowerVDFN
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 18A (Ta), 39A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3.9mOhm @ 18A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 2W (Ta), 20W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 1mA
- Supplier Device Package
- 8-HSMT (3.2x3)
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 72 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3500 pF @ 15 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
- WIG-16300
- M6-21-427
- 10169891-453001SLF
- AFB0924SH-AF00
- MS27473T12F98PA
- ASL5115SHNZ
- 4922R-08L
- RJFC2ZN
- HCPL-4502-500E
- EEU-FS1A821B
- CRCW1210105RFKEA
- LQM21PN2R2MGSD
- 1SMB3EZ24_R1_00001
- DN01508D
- RC0805FR-0726K7L
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- FDA117GRTR
- MP1653AGTF-Z
- DUA55CM44
- SD24C-7
- RC0402FR-0736K5P
- 431256083726
- EC350V-04P
- NUCLEO-C071RB
- 猜你喜歡
- RQ3E160ADTB1
- RQ3E180AJTB1
- RQ3P300BHTB1
- RQ3P045ATTB1
- RQ3E100BN
- RQ3E070BNTB1
- RQ3C150BC
- RQ3E130BN
- RQ3E100BNTB1
- RQ3E150MNTB1
- RQ3E130MNTB1
- RQ3E100MNTB1
- RQ3E070BNTB
- RQ3E100ATTB
- RQ3P300BETB1
- RQ3E100BNTB
- RQ3E120BNTB
- RQ3E080BNTB
- RQ3E180BNTB
- RQ3E130BNTB
- RQ3E160ADTB
- RQ3E150BNTB
- RQ3G100GNTB
- RQ3E180GNTB
- RQ3E150GNTB
- RQ3E080GNTB
- RQ3E180AJTB
- RQ3E120ATTB
- RQ3E100GNTB
- RQ3E120GNTB
- RQ3L090GNTB
- RQ3G150GNTB
- RQ3L050GNTB
- RQ3E075ATTB
- RQ3C150BCTB
- RQ3E110AJTB
- RQ3E100GNTB
- RQ3E100BNTB
- 資訊中心
- onsemi 推出基於第七代 IGBT 的智慧功率模組，以降低加熱和冷卻能耗
- 2024-03-16
- Samtec 開設新台灣設計中心
- 2023-11-13
- TI 利用 SiC 柵極驅動器幫助最大限度地提高電動汽車的行駛里程
- 2023-08-12
- TDK 為 ADAS/AD 電源管理提供極其緊湊和可靠的 CLT 功率電感器
- 2022-08-13
- 意法半導體觸控控制器支持新一代AMOLED節能顯示器
- 2022-07-03
- ADI 公司的無線電池管理系統獲得頂級汽車網絡安全認證
- 2022-04-09
- 通過 Samtec 和 SnapEDA 提供 20 萬多個互連符號和封裝
- 2021-11-13
- TE Connectivity 的新型可插拔連接器滿足了照明應用的市場需求
- 2021-07-04
- 意法半導體的低電容汽車瞬態電壓抑制器為高速接口提供保護
- 2021-05-30
- ROHM新型600V IGBT IPM提供領先的低噪聲，低損耗
- 2021-05-08
- Littelfuse收購Hartland Controls
- 2021-04-05
- Molex推出了汽車主動降噪中的重大傳感器創新，以改善安全性和駕駛體驗
- 2021-02-24
